Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.72: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Photoemission an der Grenzfl"ache zwischen SiC und SiO2 — •B. Mattern1, M. Ba"sler2, G. Pensl2, N. Sieber1, M. Hollering1, K. Janischowsky1, J. Ristein1, and L. Ley1 — 1Institut f"ur Technische Physik II, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen — 2Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen
Mittels Photoelektronenspektroskopie bei hoher Orts- (50µm) und Energieaufl"osung (∼ 0.5eV) wurde die Grenzfl"ache eines technischen Oxides auf SiC untersucht.
Um das ca. 1000Å dicke Oxid auf wenige Nanometer auszud"unnen, wurde es in 0.5%-iger Flu"ss"aure in Form eines Keils mit einer Steigung von 65Å/mm ge"atzt. Die hohe Ortsaufl"osung in Verbindung mit einer mikrometergenauen lateralen Positionierung erlaubt es, den "Ubergang Oxid "uber die Grenzschicht auf das SiC-Substrat an ein und derselben Probe zu untersuchen.
Die dabei gefundene atomare Zusammensetzung deutet auf eine kohlenstoffreiche Schicht zwischen dem stoichiometrischen SiC und SiO2 hin. Der Valenzbandoffset zwischen SiC und SiO2 wurde mit 1.3eV bestimmt. Die an technischen Oxiden gewonnenen Ergebnisse werden mit denen der Anfangsstadien der SiC-Oxidation verglichen.