Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.73: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Bestimmung der Schichtdicke von SiC-Epitaxieschichten auf SiC-Substraten durch Reflexionsmessung im Wellenlängenbereich 250cm⁻¹ – 4000cm⁻¹ — •Changqing Chen¹, Franz Engelbrecht¹, Christian Peppermüller¹, Reinhard Helbig¹ und Roland Rupp² — ¹Lehrstuhl f. Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen — ²ZFE, Siemens AG, 91058 Erlangen

Die Schichtdicke von 4H-SiC Epitaxieschichten auf 4H-SiC Substraten wurde durch Messung des Reflexionsvermögens im Wellenlängenbereich 250cm⁻¹ – 4000cm⁻¹ bestimmt. Ausgenutzt wurde die Tatsache, daß das n-Typ Substrat (4−9·10¹⁸cm⁻³) mit Stickstoff dotiert ist, während die Epitaxieschicht gering (<10¹⁶cm⁻³) dotiert ist. Durch unterschiedliche Beiträge der freien Ladungsträger gibt es einen Brechungsindexunterschied im obigen Wellenlängenbereich zwischen Substrat und Epitaxieschicht, der zu Beobachtung von Vielfachinterferenzen führt. Durch numerische Beschreibung der Beiträge des Grundgitters und der freien Ladungträger können die gemessenen Reflexionen gut angepaßt werden; dadurch ist es möglich, aus diesen Messung sowohl die absolute Schichtdicke, als auch die Dotierkonzentration des Substrates zu bestimmen.