Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.74: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Stromfilamente in n-GaAs mit verschiedenen Kontaktgeometrien – Experiment und Theorie im Vergleich — •S. Beizai¹, J. Hirschinger², C. Lehmann¹, F.-J. Niedernostheide³, V. Novák², W. Prettl², A. Reimann¹, E. Schöll¹ und G. Schwarz¹ — ¹Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin — ²Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ³Institut für Angewandte Physik, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, 48149 Münster

Wir stellen Computersimulationen und Experimente zur Ausbildung von Stromfilamenten in dünnen n-GaAs-Filmen im Bereich des Tieftemperaturdurchbruchs vor. Wir untersuchen Proben- und Kontaktgeometrien verschiedener Symmetrie wie Punkt- und Streifenkontakte, konzentrische Ringkontakte und Corbinoscheiben sowie den Einfluß von Magnetfeldern und eines angekoppelten Laststromkreises. Die räumlich und zeitlich aufgelöste Struktur der Stromfilamente wird mit einer neuartigen optischen Visualisierungsmethode abgebildet und mit Modellrechnungen verglichen. Das Modell kombiniert eine Monte-Carlo-Simulation der mikroskopischen Streu- und Generations-Rekombinationsprozesse mit der nichtlinearen raum-zeitlichen Dynamik der Ladungsträgerdichten und Feldverteilungen für zweidimensionale Probengeometrien.