Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.75: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Hochfeldtransport in ZnS und GaN — •N. Fitzer¹, M. Reigrotzki¹, R. Redmer¹, M. Dür², St. M. Goodnick² und W. Schattke³ — ¹Universität Rostock, FB Physik, D-18051 Rostock — ²Department of Electrical Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ 58287-57065 — ³Universität Kiel, Inst. fr Theoretische Physik, Leibnizstr. 15, D-24098 Kiel

Der Elektronentransport in den Halbleitermaterialien Zns und GaN wird mit Hilfe von Monte-Carlo-Simulationen für hohe Felder untersucht. Die entsprechenden Bandstrukturen werden im Rahmen der EPM (lokal und nichtlokal) berechnet. Neben der Elektron-Phonon-Wechselwirkung wird insbesondere der Prozeß der Stoßionisation berücksichtigt. Die Resultate zur elektronischen Verteilungsfunktion, Driftgeschwindigkeit und mittleren kinetischen Energie werden mit anderen Ergebnissen verglichen. Der makroskopische Ionisationskoeffizient wird in Abhängigkeit von der Feldstärke berechnet und mit experimentellen Daten verglichen.