Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.77: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Poröses TiO₂: TOF-Untersuchungen — •Thomas Dittrich¹, Energui Lebedev² und Josef Weidmann³ — ¹Physik Department E16, Technische Universität, 85748 Garching — ²A.F. Ioffe Physico Technical Institut, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia — ³INAP GmbH, Munscheidstr. 14, 45886 Gelsenkirchen

Poröses TiO₂ kann aufgrund seiner relativ wohl definierten Grenzfläche als Modellsystem für Transportuntersuchungen in granularen Medien betrachtet werden. Mit Hilfe von Flugzeitmessungen (TOF) kann man Aussagen über die Beweglichkeit von photoinduzierten oder elektrisch injizierten Ladungsträgern treffen. TOF untersuchungen wurden an por-TiO₂ im Vakuum und in O₂ Atmosphäre im Temperaturbereich zwischen 0 und 100^∘C durchgeführt. Für photoinduzierte negative Ladungsträger liegt die Beweglichkeit bei 10-5 cm2/Vs und ist feldunabhängig. Die Beweglichkeiten für Ionen liegen ca 2..3 Größenordnungen darunter.