Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.78: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Transiente Photostromuntersuchungen an Poly-Phenylen-Vinylen — •Energui Lebedev¹, Thomas Dittrich², Wolfgang Brütting³, Siegfried Karg⁴ und Vesselinka Petrova-Koch² — ¹A.F. Ioffe Physico Technical Institut, Russian Academy of Sciences, 194021, Russia — ²Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — ³Universität Bayreuth, Experimentalphysik II, 95440 Bayreuth — ⁴TH Darmstadt, Elektronische Materialeigenschaften, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt

Transiente Photostromuntersuchungen wurden an ITO/Poly-Phenylen-Vinylen (PPV)/Al-Strukturen durchgeführt. Die Anregung der Überschußladungsträger erfolgte mit einem N₂-Laser auf der Seite der semitransparenten Al-Elektrode. Anhand der Photostromtransienten konnten Beweglichkeiten für die positiven Ladungsträger ermittelt werden (µ =10⁻⁶...10⁻⁵ cm ²/Vs). Die Abhängigkeiten der Beweglichkeiten vom elektrischen Feld und von der Temperatur erwiesen sich als abhängig vom Substrat und von den Polymerisationsbedimgungen. Der dispersive Charakter der Photostromtransienten hängt von der Intensität des anregenden Lichtes, der Temperatur und der Feldstärke ab.