Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.79: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Thermoelementstrukturen auf der Basis von dotierten β-FeSi₂-Schichten — •Horst Grießmann, Joachim Schumann und Armin Heinrich — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 27 00 16, 01171 Dresden

Für Thermoelemente im Einsatzgebiet bei mittleren und hohen Temperaturen sind Materialien auf der Basis von β-FeSi₂ geeignet. Die Thermospannung hat große Werte über einen weiten Temperaturbereich. Über Dotierungen können n- und p-leitende Materialien hergestellt werden und der spezifische Widerstand kann über mehrere Größenordnungen gegenüber dem undotierten β-FeSi₂ verringert werden. Die Schichten zeichnen sich durch hohe Oxidationsbeständigkeit aus. Es werden elektrische Leitfähigkeit und Thermospannung von Schichten im Temperaturbereich von 100 bis 1100 K dargestellt. Ausgehend von amorphen gesputterten Schichten mit einem Si/Fe-Verhältnis von 1.8 bis 2.1 und verschiedenen Dotierungen (Co, Ni, Al)

erfolgt die Bildung von β-FeSi₂ beim Tempern bei etwa 750 K. Die Anwendung dieser Schichten wird in Thermoelementstrukturen mit einer Strukturbreite zwischen 10 µm und 800 µm gezeigt.