Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.80: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einfluß Sb-induzierter Leerstellen in δ-dotierten Si(001)-Tunnel-strukturen — •S. Skaberna¹, J. Lindolf¹, U. Kunze¹, W. Kiunke² und I. Eisele² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Gebäude IC 2, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Fakultät für Elektrotechnik, Universität der Bundeswehr München, D-85577 Neubiberg

Untersucht wird der Einfluß von Sb-induzierten Leerstellen bei MOS-Tunnelkontakten, die mittles einer selbstkonsistenten Rechung modelliert werden. Die Tunnelkontakte bestehen aus einem p⁺-dotierten Si(001) Substrat, auf welches eine mit Sb-dotierte δ-Schicht abgeschieden wurde und einer undotierten Si-Deckschicht. Darüber befindet sich das Tunnel-oxid und als Elektrode Mg. Von besonderen Interesse sind die Energien der Subbandkanten und die Streumaße der Wellenfunktionen ohne und mit Leerstellen in der Nachbarschaft der δ-Dotierschicht. Die Ergebnisse der Simulation werden mit Messungen verglichen, die im schichtparallen Magnetfeld bis 14 T mittels Tunnelspektroskopie gewonnen wurden.