Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.83: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Experimentelle und theoretische Untersuchungen des Semi-metall-Halbleiter-"Ubergangs in InAs/GaSb-Strukturen — •M. Krach¹, G. Theurich¹, B. Kn"upfer¹, N. Linder¹, H.-R. Blank², and G. H. D"ohler¹ — ¹Institut f"ur Technische Physik I, Universit"at Erlangen- N"urnberg — ²University of California at Santa Barbara, ECE Department Santa Barbara, USA

Aufgrund der hohen Elektronenbeweglichkeit in InAs und des Typ-II-Charakters des InAs/GaSb-Hetero"ubergangs stehen Strukturen, die auf diesen Materialien basieren, immer mehr im Mittelpunkt des Interesses. Durch den energetischen "Uberlapp des InAs-Leitungsband mit dem GaSb-Valenzband zeigt die Grenzfl"ache f"ur dicke Schichten semimetallischen Charakter. Bei einer Verringerung der Schichtdicken ist aufgrund der Quantisierungsenergie die Ausbildung einer effektiven Energiel"ucke zwischen InAs-Leitungsbandzust"anden und GaSb-Valenzbandzust"anden zu erwarten. Andererseits kann man die Energieniveaus der Valenz- und Leitungsbanddispersionen auch durch ein in Wachstumsrichtung angelegtes elektrisches Feld verschieben und so einen feldinduzierten Semimetall-Halbleiter-"Ubergang bewirken. Bei den von uns untersuchten Proben wurde der InAs/GaSb-Hetero"ubergang in eine pin-Struktur zwischen AlSb-Barrieren eingebaut. Die laterale Leitf"ahigkeit der InAs/GaSb-Grenzfl"ache, die beim Semimetall-Halbleiter-"Ubergang um Gr"o"senordnungen abnimmt, haben wir in Abh"angigkeit vom angelegten elektrischen Feld sowohl theoretisch als auch experimentell bestimmt.