Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.87: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Quantisierung der Leitfähigkeit in tiefgeätzten und überwachsenen Quanten-Punkt-Kontakten auf der Basis modulationsdotierter GaAlAs/GaAs-Heterostrukturen — •Frank Beuscher¹, Manfred Michel¹, Alfred Forchel¹, A. Kristensen², C.B. Sorensen², P.E. Lindelof², J. Bo Jensen², J. Nygard² und M. Zaffalon² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Orsted Laboratory, Universitetsparken 5, DK-2100 Copenhagen

Das Leitfähigkeitsverhalten von ballistischen Punktkontakten im 2DEG wurde für hochbewegliche AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen untersucht. Für die Bestimmung der Leitfähigkeit bei Variation der Gate-Spannung und Temperatur wurden vier verschiedene Arten von Quantenpunktkontakten (QPC) hergestellt. Die Einschnürung der QPC betrug zwischen 50 nm und 400 nm. Für beide Arten von Heterostrukturen wurde sowohl direkt nach dem Ätzen eine Al-Gate Elektrode auf der Kanaleinschnürung aufgebracht als auch vor der Al-Metallisierung eine AlGaAs Schicht auf die tiefgeätzten Strukturen mittels MBE aufgewachsen. An den einzelnen QPC konnte eine Quantisierung der Leitfähigkeit bis zu Temperaturen von über 30 K beobachtet werden. Die Energieaufspaltung zwischen den eindimensionalen Subbändern wurde anhand der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeitsquantisierung bestimmt. Die Aufspaltung zwischen dem 1. und 2. Subbandniveau beträgt für die tiefgeätzten und Al-Gate metallisierten QPC bis zu 20 meV und für die überwachsenen QPC bis zu 10 meV.