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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.8: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

HÖCHSTFREQUENTE INTERDIGITALWANDLER AUF
GaAs FÜR DYNAMISCHE POTENTIALÜBERGITTER ZUR UNTERSUCHUNG VON NANOSTRUKTUREN — •A.C.G. Haubrich, M. Streibl, C. Rocke, S Manus, A. Wixforth und J.P. Kotthaus — Sektion Physik der LMU, 80539 München

Die piezoelektrischen Felder, die eine akustische Oberflächenwelle
(SAW) auf einer GaAs-Oberfläche begleiten, stellten sich als hervorragendes Mittel zur Untersuchung und Manipulation der verschiedensten Transport- sowie auch optischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen heraus. Im Hinblick auf kleinere zu untersuchende Strukturen, wie Quantenpunktkontakte, Quantenpunkte und auch Untersuchungen im Bereich des fraktionellen Quantenhalleffekts, sind höhere Anregungsfrequenzen bzw. kürzere Wellenlängen der SAW nötig. Höhere Frequenzen werfen aber speziell für das relativ schwach piezoelektrisch GaAs einige Probleme bezüglich Anpassung, Verminderung des Übersprechens sowie der lithografischen Herstellung auf. Wir präsentieren hier Ergebnisse und Messungen an Interdigitalwandlern im Bereich von 3GHz, die für Einelektronentransport vorgesehen sind.