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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.90: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Dielektrische Eigenschaften von BeZnSe im Frequenzbereich vom FIR bis zum VUV — •M. Feige¹, B. Weise¹, J.-J. Liang¹, U. Zehnder¹, T. Gerhard¹, H. Lugauer¹, F. Fischer¹, M. Keim¹, R. Kruse², K. Wilmers³, T. Wethkamp³, N. Esser⁴, V. Wagner¹ und J. Geurts¹ — ¹Physikalisches Institut, Universität Würzburg — ²I. Physikalisches Institut, RWTH-Aachen — ³Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart — ⁴Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin

In ternären BeZnSe-Mischverbindungen erwartet man mit zunehmendem Berylliumgehalt eine Abnahme der Bindungspolarität, sowie eine Zunahme der Bindungsenergie. Diese Tendenz sollte auch die dielektrischen Eigenschaften maßgeblich beeinflussen. Daher haben wir an MBE-gewachsenen epitaktischen Schichten für den gesamten Kompositionsbereich von ZnSe bis BeSe den Verlauf der dielektrische Funktion bestimmt. Der untersuchte Frequenzbereich erstreckt sich vom Fern-Infraroten (10 meV) bis zum Vakuum-Ultravioletten ( >10 eV). Als Meßmethoden wurden Reflexions-, Raman-, und Photoreflexionsspektroskopie, sowie auch Photolumineszenz und Ellipsometrie eingesetzt. Im FIR bestätigen die Phononresonanzen die Be-bedingte Abnahme der Polarität. Die ermittelten Phononlagen lassen sich mittels des Modified Random-Element-Isodisplacement (MREI) Modells beschreiben. Im Interband-Bereich verhält sich insbesondere das technologisch wichtige E₀-Fundamentalgap fast linear mit der Komposition und zeigt nur ein moderates Bowing.