Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.91: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchungen an Si-Kavitäten mit dem PAC-Sondenkern ¹¹¹In — •J. Bartels, C. Noll und R. Vianden — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Um die Reinheit von Halbleitern wie Silizium zu erhöhen, laufen Untersuchungen über das Gettern von Übergangsmetallen in Kavitäten [1], welche z.B. durch die Implantation von Helium erzeugt werden [2].

In dieser Arbeit wurde versucht, mit Hilfe der PAC-Methode Informationen über die Bildung von Kavitäten zu gewinnen. Dazu wurde am Bonner Isotopenseparator die PAC-Sonde ¹¹¹In(¹¹¹Cd) mit 160 keV sowie stabiles Helium mit 10 keV in Silizium implantiert. Über ein Ensemble von Proben wurden die Implantationsreihenfolge und die jeweilige Heliumdosis (6×10¹⁵, 2×10¹⁶ oder 6×10¹⁶ Ionen/cm²) variiert. Die Proben wurden direkt nach den Implantationen und nach verschiedenen Temperschritten vermessen (400^∘C bis 1100^∘C, 10 min, RTA).

Bei hoher Heliumdosis erfahren die In-Atome einen EFG mit ν_Q=411(6)MHz und η=0,25(4). Ein EFG gleicher Größenordnung wurde bereits bei ¹¹¹In auf ⟨100⟩-Si-Oberflächen beobachtet [3]. Es ist daher naheliegend anzunehmen, daß der gemessene EFG ¹¹¹In-Sondenatomen auf den inneren Oberflächen der Kavitäten zuzuschreiben ist. (Teilweise gefördert durch BMBF MA06.06K)

[1] S. M. Mayers et al., J. Appl. Phys. V. 80,7; 1996; S. 3717

[2] V. Raineri et al., J. Appl. Phys. V. 78,6; 1995; S. 3727

[3] G. Krautsch et al., Surface Science V. 285; 1993; S. 81