Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.92: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Nanostrukturierung von Si/SiGe-Heterostrukturen mittels anisotroper und materialselektiver naßchemischer Ätzen — •U. Wieser, B. Klehn, D. Iamundo und U. Kunze — Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität-Bochum, D-44780 Bochum

Es wird eine Methode beschrieben, mit der Si/SiGe-Heterostrukturen materialselektiv auf naßchemische Weise geätzt und strukturiert werden können. Hierbei wird eine Fotoresistmaske sowohl mit konventioneller Fotolithografie als auch nanolithografisch mit dem Rasterkraftmikroskop (dynamische Pflügetechnik) erzeugt. Die Strukturübertragung geschieht durch naßchemisches Ätzen einer SiO₂-Zwischenschicht. Zur Vermeidung von hoher thermischer Belastung der pseudomorph verspannten Heterostruktur wird entweder ein bei 500^∘C auf der Si-Deckschicht thermisch gewachsener oder alternativ ein durch die chemische Reinigung erzeugter SiO₂-Film verwendet. Die hohe Materialselektivität der Si- und SiGe-Ätze wird als Ätzstopp und zur Planarisierung der Ätzfront am Heteroübergang genutzt. Gewollt unterätzte Si-Schichten können als Schattenmaske beim Aufdampfen von Metallen verwendet werden. Die beim Ätzen einer Nut entstehenden Oberflächenprofile werden mittels Rasterelektronenmikroskopie im Querschnitt charakterisiert.