Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.93: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Photolumineszenz-Charakterisierung von selbstorganisierten InAs-Quantenpunkten — •L. Gottwaldt1,2, F.-J. Ahlers2 und K. Pierz2 — 1Technische Universität Braunschweig, Pockelsstr. 14, D-38106 Braunschweig — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, D-38116 Braunschweig
Mittels Molekularstrahlepitaxie wurden im Stranski-Krastanow-Wachstumsmodus selbstorganisierende InAs-Quantenpunkte in einer GaAs-Matrix mit dem Ziel gewachsen, Dots verschiedener Größe und Dichte kontrolliert herzustellen. Um auf einem Wafer eine Variation der InAs-Belegung zu erzielen, wurde das Substrat während des InAs-Wachstums nicht rotiert. Es wurden Wafer hergestellt, deren nominelle InAs-Belegung von 1-2 Monolagen reicht. Die Wafer wurden mit AFM, TEM und PL-Spektroskopie untersucht. Die PL-Spektren zeigen beim Wafer mit der geringsten InAs-Belegung (≤ 1.35 ML) lediglich die PL der InAs-Benetzungsschicht (wetting layer). Aus der Ortsabhängigkeit der PL-Energie schließen wir auf den Verlauf unseres (nichtlinearen) In-Gradienten. Auf dem Wafer mit mittlerer InAs-Belegung ergibt sich eine relativ breite PL-Bande bei ca. 1.2 eV, die kaum vom In-Gradienten abhängt. Der Wafer mit der größten InAs-Belegung zeigt eine zusätzliche, schmale PL-Bande bei 1.1 eV, die innerhalb eines Bereichs geringer In-Variation auftritt. Wir deuten dieses letzte Ergebnis dahingehend, daß bei hohem In-Angebot zusätzlich größere Quantenpunkte mit einer recht kohärenten Verteilung vorhanden sind.