Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.96: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

PL-SNOM an InGaAs/GaAs Quantendots — •F. Poser, D. Pahlke, C. Gremzow, F. Heinrichsdorff und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D-10623 Berlin

Die Photolumineszens scanning near-field optical mikroscopy (PL SNOM) an einzelnen InGaAs/GaAs Quantenpunkten liefert sowohl für die Charakterisierung der optischen und elektronischen Eigenschaften von Quantenpunkten neue Möglichkeiten, als auch einen Zugang zur Lösung grundsätzlicher Fragestellungen in der SNOM Technologie wie optische Auflösung, Eigenschaften des Nahfeldes und Einfluss der Abstandsregulierung. Im Stranski-Krastanov Modus in der MOVPE gewachsene InGaAs/GaAs Quantenpunkte sind mit einer 50 nm GaAs Deckschicht bedeckt. Die Quantenpunktdichte ist mit ca. 3 Objekten pro 1 µm² relativ gering. Die Nahfelduntersuchungen werden im internal reflection mode mit einer unbedampften, gezogenen Glasfaserspitze durchgeführt, um eine ausreichende PL Intensität zu erhalten. Eine kompakte elektronische shear force Detektion dient zur Abstandsregulierung mit 20 nm lateraler Auflösung. Lateral und spektral kann die PL einzelner Quantenpunkte (1310-1350 nm) bei Raumtemperatur sowie bei T = 30 K aufgelöst werden. Die laterale optische Auflösung beträgt 400 nm. Durch Separation von Fern- und Nahfeldanteilen im PL Signal kann die Auflösung auf 250 nm verringert und spektral zugeordnet werden. Einflüsse der Oberflächentopographie auf das optische Signal werden im Detail untersucht.