Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

HL 20.11: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:30–18:45, H13

Chemische Gasphasendeposition von polykristallinen ZnSe Schichten für die Anwendung in Chalkopyrit Dünnschichtsolarzellen — •M. Toplak, Ch. Sommerhalter, M. Birkholz, A. Jäger-Waldau und M.Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Zur Anwendung als Fenstermaterial in ZnSe/CuGaSe₂ Dünnschichtsolarzellen [1] wurden polykristalline ZnSe Schichten mittels chemischem Gasphasentransport (H₂, I₂) im offenen System bei Substrattemperaturen im Bereich 400-500^∘C hergestellt. Die untere Grenze bei der Substrattemperatur wird durch das Auftreten von einer festen ZnI₂ Phase für T < 400^∘C festgelegt. In Abhängigkeit von Substrat- und Quellentemperatur, Jodpartialdruck, Gesamtdruck und Gasflußgeschwindigkeit wurden bei Wachstumsraten von 0.1−1µ m/h geschlossene ZnSe Schichten mit Korngrößen im Bereich 200−500 nm auf Glas bzw. ZnO beschichtetem Glas abgeschieden. Die strukturelle Charakterisierung dieser Schichten erfolgte unter anderem durch AFM, SEM/EDX und XRD Messungen. Optische und elektronische Eigenschaften wurden mittels Transmissions-, Photolumineszenz- und Hallmessungen bestimmt. Unter der Annahme eines chemischen Gleichgewichts wurden die Transport- und Wachstumsraten für das Zn-Se-I-H System berechnet und mit den experimentellen Daten verglichen.

[1] N. Meyer et al., Beitrag auf dieser Tagung