DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 1998 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

HL 20.8: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 17:45–18:00, H13

Rastertunnelspektroskopie an polykristallinen Cu(In,Ga)Se2-
Dünnschichten
— •U. Stahl 1, U. Herber1, R. Fink1, E. Umbach1 und W. Riedl21Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2Siemens AG, ZT EN2, D-80807 München

Von der Siemens Solar GmbH durch RTP-Verfahren hergestellte
Cu(In,Ga)Se2-Absorberschichten für Dünnschichtsolarzellen wurden mit Rastertunnelspektroskopie im Ultrahochvakuum untersucht. Der Tunnelstrom wird dabei sowohl durch die Tunnelbarriere im Vakuum als auch durch die Schottky-Barriere der Raumladungszone bestimmt. Mithilfe der lokal gemessenen Strom/Spannungs-Kurven findet man Oberflächenbereiche mit sehr unterschiedlichen Leitungseigenschaften. Die Ausdehnung der einzelnen Bereiche ist vergleichbar mit der Korngröße von 1 - 2 µm. Unterschiedliche Modifikationen der Oberfläche, beispielsweise das Aufbringen dünner CdS-Schichten, bewirken signifikante Veränderungen in der I(V)-Charakteristik. Beleuchtung der Tunnelregion mit einem HeNe-Laser ändert die I(V)-Kurven ebenfalls, ähnlich den Vorgängen in der Solarzelle. So findet man einen Tunnelstrom ohne angelegte Spannung und eine Oberflächenphotospannung, vergleichbar dem Kurzschlußstrom und der Leerlaufspannung; jedoch im vorliegenden Fall ortsaufgelöst. Die experimentellen Daten werden mit theoretischen Modellen verglichen. (Gefördert im Rahmen des FORSOL-Verbundes)

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1998 > Regensburg