Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

HL 20.9: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:00–18:15, H13

Systematische Untersuchung des Effekts von Korngrenzen in photovoltaischen Materialien — •T. Weis, R. Lipperheide und U. Wille — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin

Im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen wird der Effekt von Korngrenzen in verschiedenen polykristallinen Halbleitern in Abhängigkeit von Korngröße, Dotierung sowie Dichte der Grenzflächenzustände berechnet. Die Resultate werden in einer Systematik zusammengestellt.

Verschiedene eindimensionale Modelle werden herangezogen und die nichtlineare Poisson-Gleichung [1] mit der Depletion-Näherung [2] bezüglich des Raumladungspotentials und der Verteilung der Ladungsträger verglichen. Es werden Systeme im thermischen Gleichgewicht und unter Beleuchtung (mit konstantem Abstand der Quasi-Ferminiveaus) betrachtet. Thermionische Emission und Tunnelprozesse werden mit dem Ziel einer grundlegenden Beschreibung der Transportprozesse in Solarzellen untersucht.

[1] P.T. Landsberg, M.S. Abrahams, J. Appl. Phys. 55(12), 4284 (1984)

[2] J.Y.W. Seto, J. Appl. Phys. 46(12), 5247 (1975)