Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Quantendr
ähte

HL 21.10: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:15–18:30, H1

Ortsaufgelöste Kathodolumineszenzuntersuchungen an selbstorganisierten AlGaAs/InGaAs- und AlGaAs/InAs-Quantenfäden — •T. Riemann¹, F. Bertram¹, J. Christen¹ und H. Nakashima² — ¹Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Uni-Pl. 5, 39106 Madeburg — ²ISIR, Osaka University, Japan

Laterale Gitter selbstorganisierter AlGaAs/InGaAs—Quantenfadenstrukturen (Periode 150nm) wurden auf einem 3^o verkippten, vizinalen GaAs (110) Substrat hergestellt [1]. Auf einer AlGaAs/GaAs Multiquantenwellstruktur (MQW), die zur Ausbildung von Superstufen führt, wurde eine 3nm dicke InGaAs-Schicht gewachsen, die beidseitig von einer Barriere aus 30nm GaAs, ummantelt von je 30nm AlGaAs, eingeschlossen ist. Die laterale Auflösung der Kathodolumineszenz (KL) ist wesentlich besser als die Periodenlänge von 150nm. Im Lumineszenzspektrum werden zwei separate Linien bei 820nm und 878nm beobachtet, die dem GaAs des MQWs bzw. den InGaAs–Quantenfäden zugeordnet werden können. Die Dominanz der Quantenfadenlumineszenz um mehr als eine Zehnerpotenz zeigt, daß strahlende Rekombination nach äußerst effektivem Einfang aus den Barrieren vorherrschend in den Quantenfäden stattfindet. Die Temperaturabhängigkeit dieses Ladungsträgereinfangs wird diskutiert. Mittels zeitaufgelöster KL wird die Einfangs-, Relaxations- und Rekombinationskinetik untersucht. Vergleichend werden identische InAs–Quantenfadenstrukturen analysiert.

[1] M. Takeuchi et al., Superlattices and Microstructures 22, 43 (1997)