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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Quantendr
ähte

HL 21.11: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:30–18:45, H1

Biexzitonen in InGaAs/GaAs Quantendrähten — •T. Baars, W. Braun, M. Bayer und A. Forchel — Lehrstuhl für Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

InGaAs/GaAs Quantendrähte mit Breiten zwischen 29 nm und 85 nm wurden mittels polarisationsabhängigem, spektral aufgelöstem Vierwellenmischen (FWM) untersucht. Bei Anregung mit kollinear polarisierten Laserpulsen wurden Quantenschwebungen beobachtet, die auf biexzitonische Beiträge zum Vierwellenmischsignal zurückgeführt werden. Die Existenz von Biexzitonen in den Quantendrahtstrukturen wird bestätigt durch die Beobachtung einer zusätzlichen Emissionslinie im Spektrum des FWM Signals bei Anregung mit gekreuzt polarisierten Laserpulsen. Die Biexzitonenbindungsenergie, die übereinstimmend sowohl aus der Periode der Quantenschwebungen als auch aus dem FWM Spektrum bestimmt wurde, ist unabhängig von der Drahtbreite und beträgt ∼2,1 meV. Die Drahtbreitenunabhängigkeit deutet darauf hin, daß die Bindungsenergie durch ein kompliziertes Wechselspiel der Couplomwechselwirkungen zwischen den Elektronen und Löchern, die das Biexziton bilden, bestimmt ist.