Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 21: Quantendr
ähte
HL 21.7: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 17:30–17:45, H1
Transportuntersuchungen an modulationsdotierten, ballistischen Quantendrähten auf GaAs (110) Spaltflächen — •M. Rother, W. Wegscheider und M. Bichler — Walter Schottky Institut, Techn. Universität München, D-85748 Garching
Durch in situ Überwachsen von Spaltflächen (Cleaved Edge Over- growth) werden eindimensionale Elektronenkanäle hergestellt. Ausgangspunkt ist dabei eine modulationsdotierte Quantentopfstruktur auf der GaAs (001) Oberfläche, die auf der (110) Spaltfläche mit einer weiteren Modulationsdotierung überwachsen wird. Steuerelektroden teilen das zweidimensionale Elektronensystem der (001) Fläche in zwei getrennte Bereiche, die den Quantendraht kontaktieren, und ermöglichen darüberhinaus die Variation der 1D Elektronendichte [1]. Die mehrere Mikrometer langen Quantendrähte zeigen eine klare Leitwertquantisierung bis zu Temperaturen von ca. 20K . Die Quantisierung erfolgt dabei jeweils in Einheiten <2e2/h. Die Abhängigkeit der Abweichung dieser Quantisierung von n · 2 e2/h von der Temperatur und strukturellen Probenparametern wird diskutiert.
[1] A. Yacoby et al., Phys. Rev. Lett. 77, 4612 (1996)