Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 16:00–16:15, H17

Untersuchungen von (113) und (113) GaAs Oberflächen in MOVPE — •H. Menhal, M. Pristovsek, J.-T. Zettler und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Ziel unserer Untersuchungen war es, die (113) und die (113) Oberfläche hinsichtlich Rekonstruktion(en) und Verhalten während des Wachstums zu charakterisieren um darauf aufbauend erste Studien zum Wachstum von InAs Quantendots durchzuführen.

Auf der (113) wurde dabei neben der bereits bekannten (8x1) eine weitere, arsenreichere (1x1) Rekonstruktion gefunden. Die Arsendesorption von dieser (1x1) zur (8x1) folgt einem Mechanismus 2. Ordnung mit einer Aktivierungsenergie von 1,5 eV. Dies spricht für ein Strukturmodell ohne Arsendimere.

Auch wurden Wachstumsuntersuchungen in der MOVPE vorgenommen. Dabei konnten die während des Wachstums beobachteten RAS-Spektren analog wie bei der (001) Oberfläche in drei Gruppen eingeteilt werden. Mögliche Ursachen werden kurz diskutiert.

Bei der (113) Oberfläche wurden ebenfalls zwei Rekonstruktion gefunden. Die arsenreichere zeigte eine (1x1)-Symmetrie.

Zuletzt werden erste Versuche zum Wachstum von InAs auf der (113) GaAs Oberfläche vorgestellt. Dabei bilden sich abhängig von Ausgangsstoff und Partialdruck längliche InAs-Strukturen oder Quantendots.