Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.10: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 18:15–18:30, H17

Strukturcharakterisierungen von GaSe/Si(111) Halbleiterschichten mit MEIS — •Y.C. Lim, U. Wesskamp, O. Kollmann und B. Schmiedeskamp — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, 33615 Bielefeld

Die mittels MBE-Verfahren auf dem Si(111)-Substrat hergestellten GaSe-Schichten sind mit Hilfe der MEIS-Methode charakterisiert worden. Die Schichtdicke beträgt etwa 2 Monolagen. Für die MEIS-Untersuchungen werden 300keVs Helium-Ionen als Projektile eingesetzt und die Energie- und Winkelverteilung der rückgestreuten Ionen mit einem Halbleiterdetektor und einem elektrostatischen Analysator untersucht. Durch den Vergleich der Rückstreuausbeute von Channeling und Random für dicke GaSe-Schichten auf Si(111) wird ermittelt, daß eine qualitativ gute GaSe-Halbleiterschicht epitaktisch aufwachsen kann. Bei der Bestimmung der Positionen von Ga und Se für das 2 Monolagensystem ist festgestellt worden, daß die Schichtstruktur durch den Ionenbeschuß zum Teil zerstört wird. Es wird gezeigt, wie die geometrische Struktur trotz der Strahlenschädigung mittels der MEIS-Methode bestimmt werden kann.