Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.11: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:30–18:45, H17

Elektronenspektroskopie an mikrokristallinem Silizium (µc-Si) — •E. Böhmer, F. Siebke und H. Wagner — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Mikrokristallines Silizium ist aufgrund seiner besonderen optischen und elektrischen Eigenschaften als neuartiges Dünnschicht-Halbleitermaterial von großem Interesse. So findet µc-Si bereits vielfach Verwendung in Dünnschichtsolarzellen und auch der Einsatz in Farbsensoren zeigt sich vielversprechend. Für eine Weiterentwicklung der Bauelemente ist ein tieferes Verständnis von µc-Si im Hinblick auf seine elektronische Struktur an Grenzflächen wünschenswert. Von grundlegender Bedeutung für die Beschreibung von Heterostrukturen mit Schichten aus amorphem Silizium (a-Si:H) sind vor allem die auftretenden Banddiskontinuitäten an der Grenzfläche µc-Si/a-Si:H.

Im Rahmen dieser Arbeit werden dünne Schichten aus mikrokristallinem Silizium im Plasma-CVD Verfahren präpariert und in-situ mittels Photoelektronenspektroskopie charakterisiert. Zur Untersuchung der elektronischen Bandstruktur kommen hierbei neben Röntgen- und Ultraviolettphotoelektronenspektroskopie (XPS/UPS) auch die Elektronenausbeutespektroskopie (Total Yield) zum Einsatz. Mit diesen oberflächenspezifischen Analyseverfahren lassen sich die elektronische Zustandsdichte und die Austrittsarbeit der Schichten in Abhängigkeit von den Präparationsbedingungen bestimmen.