Regensburg 1998 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.13: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 19:00–19:15, H17

Mikroskopische Untersuchungen zum Verständnis des Voidbildungsmechanismus am SiC/Si-Interface — •J. Jinschek, U. Kaiser, A. Fissel, K. Pfennighaus und Wo. Richter — Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Die herausfordernde Aufgabe, einkristalline heteroepitaktische SiC-Schichten trotz des hohen Gittermisfits mit Si auf diesen Substraten zu wachsen, ist verknüpft mit dem Vorteil der Nutzung der etablierten Si-Technologie. Ziel der Untersuchungen hier ist die Charakterisierung der Defekte an den SiC/Si(111)- und SiC/Si(110)- Grenzflächen von heteroepitaktisch mit Hilfe der Feststoffquellen-MBE abgeschiedenen SiC-Schichten auf Si-Substraten. Typische Defekte wie die Löcherbildung im Si-Substrat werden mit Hilfe verschiedener mikroskopischer Methoden (Lichtmikroskopie, Rasterkraftmikroskopie und Transmissionselektronenmikroskopie) untersucht. In Abhängigkeit von den Beschichtungsparametern entstehen auf Si(111)-Substraten aus trigonalen hexagonale Voids. Es werden die kristallographischen Flächen der Voids in Si(111)- und Si(110)-Substraten indiziert und ein mögliches Modell ihrer Bildung diskutiert.