Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.2: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 16:15–16:30, H17

Photolumineszenzuntersuchungen an Ge-Inselschichten auf
Si(001) — •M. Goryll, L. Vescan, and H. L"uth — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-54245 J"ulich

Die Entwicklung optoelektronischer Komponenten auf Siliziumbasis hat in den letzten Jahren zunehmend an Bedeutung gewonnen. Als problematisch erweist sich jedoch die Herstellung optischer Emitter mit ausreichend hoher Effizienz. In Anlehnung an die Erfolge auf dem Gebiet der Herstellung von Lasern mit InAs/GaAs Quantenpunkten scheint es sinnvoll zu pr"ufen, ob "ahnliche Resultate unter Verwendug von Ge-Inseln auf Si erzielt werden k"onnen. Der hier vorgestellte Beitrag besch"aftigt sich mit der Lumineszenz solcher Ge-Inseln, die mittels Niederdruck-Gasphasenepitaxie (LPVPE) hergestellt worden sind. Es werden Ergebnisse vorgestellt, welche die Abh"angigkeit der Photolumineszenz (PL) von der mittleren Ge-Schichtdicke verdeutlichen. Die Verwendung von "ubereinandergeschichteten Insellagen zeigt, da"s die integrale Lichtintensit"at wesentlich gesteigert werden kann.