Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.3: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 16:30–16:45, H17

Stabilisierung und Passivierung von Si-Grenzflächen in sauren fluoridhaltigen Elektrolyten — •Thomas Dittrich¹, Michael Schwartzkopf¹, Jörg Rappich² und Elmar Hartmann¹ — ¹Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — ²Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Raster-Tunnel-Mikroskopie an c-Si Oberflächen nach Behandlungen in HF, NH₄F(40%) oder nach elektrochemischer Behandlung in 0.1M NH₄F(pH=4.0) wurde korreliert mit Oberflächenphotospannungsuntersuchungen und mit IR-Spektroskopie im Bereich der Si-H_x-Streckschwingungen. Es hat sich erwiesen, daß die c-Si Oberfläche nach der elektrochemischen Behandlung zwar makroskopisch rauher wird, daß aber die Oberfläche dabei lokal geglättet wird. Dies führt zur Herausbildung einer ungeordneten Si-H_x-Oberflächenschicht und kann zur extremen Erniedrigung der Grenzflächenzustandsdichte führen. Es kann davon ausgegangen werden, daß die Polarisierbarkeit von Si-Backbonds durch die Unordnung abgeschwächt und die durch Oxidationsprozesse verursachte Defektentstehung vermindert wird.