Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:15–17:30, H17

Untersuchung der Oxidation und Oxiddesorption von UV-Ozon behandelten InAs(100) Oberflächen — •M. Schäfer, T. Finnberg, W. Naumann, M. Hannß, A. Dutschke, K. Oehlstrom, T. Franke und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Eine wesentliche Rolle bei der Herstellung von Halbleiter-Supraleiter Kontakten aus Niob und InAs, die auf Grund des Proximity-Effektes der Supraleitung von besonderem technischen Interesse sind, spielt die Beschaffenheit der InAs(100) Oberfläche vor dem Bedampfen mit Niob.

An zuvor naßchemisch geätzten und UV-Ozon oxidierten InAs-Wafern wurde in einem UHV-Verbundsystem von MBE/RHEED, XPS/UPS und STM das Desorptionsverhalten der Oxidverbindungen in-situ untersucht. Ex-situ wurden die Proben mit AFM, TEM und REM betrachtet.

Wesentlich bei der Untersuchung war der Einfluß des Temperaturverlaufes und des Arsengegendrucks während der Desorption auf die chemischen Zusammensetzung. Berücksichtigt wurde außerdem die Topographie und Stöchiometrie der Oberfläche. Es wurden Aufdampfversuche zum Wachstum von Niob auf so präparierten Substraten durchgeführt.