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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.8: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:45–18:00, H17

Photoemission an Elementhalbleitergrenzflächen mit ultradünnen Zwischenschichten — •U. Wesskamp, O. Kollmann, Y.-C. Lim und B. Schmiedeskamp — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld

Die elektronischen Eigenschaften von Halbleiterschichtsystemen lassen sich durch das Einbringen sehr dünner Zwischenschichten (typisch 1-2 Monolagen) verändern. In dieser Arbeit berichten wir über Photoemissionsuntersuchungen (XPS) mit Synchrotronstrahlung an Si-Ge- und Si-aSi-Grenzflächen. Diese Systeme werden, mit dem Ziel Bandoffsetmodifikationen zu erreichen, jeweils mit und ohne Halbleiterzwischenschichten aus GaSe und ZnSe präpariert. Zusätzliche Messungen mit Augerelektronenspektroskopie (AES) und Ionenstreuung (MEIS) geben Aufschluß über das Wachstumsverhalten und die geometrische Struktur der Atome an der Grenzfläche.