Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.10: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:15–18:30, H15

Untersuchungen zum Einfluß lokalisierter Zustände auf die optische Verstärkung in InGaN/GaN-Strukturen — •S. Heppel, A. Sohmer, J. Off, F. Scholz und A. Hangleiter — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

In der Literatur wurde in letzter Zeit viel darüber diskutiert, ob lokalisierte Zustände oder sogar quantenpunkt-ähnliche Strukturen in InGaN-Schichten einen Einfluß auf deren Eigenschaften haben. Unsere Untersuchungen sollten den Einfluß auf die optischen Eigenschaften, insbesondere unter Hochanregungsbedingungen, klären. Dazu wurden an einer Serie von InGaN/GaN-Heterostrukturen mit verschiedenen Dicken der aktiven Zone sowohl Messungen der optischen Verstärkung durchgeführt, als auch Absorptionsspektren bestimmt. Die optische Verstärkung wurde hierbei mittels der Strichlängemethode gemessen; zur Bestimmung der Absorption wurde die Punktanregungsmethode verwendet. Beim Vergleich von Absorptionsspektrum und Verstärkungsspektren beobachtet man in der Absorption eine exzitonische Überhöhung der Spektren auf der Niederenergieseite, bei hohen Ladungsträgerdichten eine Abschirmung der Exzitonen bis hin zu positiver optischer Nettoverstärkung bei noch großeren Anregungsdichten. Dieses Verhalten läßt nur den Schluß zu, daß eventuell vorhandene lokalisierte Zustände in InGaN/GaN-Strukturen zumindest für den Mechanismus der optischen Verstärkung keine Rolle spielen.