Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN II
HL 23.13: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 19:00–19:15, H15
Epitaxie von GaN auf Si-Substraten — •A. Strittmatter1, A. Krost1, D. Bimberg1, J. Bläsing2, Th. Hempel2 und J. Christen2 — 1TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Otto-v.-Guericke Universität, Inst. f. Exp. Physik, PF4120, 39016 Magdeburg
Wir präsentieren Ergebnisse zur Untersuchung der Epitaxie von GaN-Schichten auf Si-Substraten mittels LP-MOCVD. Dabei wurden sowohl der Einfluß verschiedener Bufferschichten als auch strukturierter Substrate untersucht. Wir demonstrieren, daß AlAs-Bufferschichten günstigere Voraussetzungen als GaAs oder AlN Bufferschichten f|r das GaN Wachstum schaffen, auf Grund der hvheren thermischen Stabilität von AlAs gegenüber GaAs und der Vermeidung der Siliziumnitridbildung auf der Si-Oberfläche während der Nukleationsphase. Gesputterte ZnO Schichten auf Si-Oberflächen bieten die Mvglichkeit des GaN-Wachstums auf Si ohne die abscheidung einer Niedertemperaturbufferschicht aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung zwischen ZnO und GaN.