Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 16:00–16:15, H15

Exzitonische Rekombination in verspannten Al_xGa_1−xN Schichten — •G. Steude¹, D. M. Hofmann¹, B. K. Meyer¹, A. Amano² und I. Akasaki² — ¹I. Physikal. Institut, Justus-Liebig-Universität, 35392 Gießen — ²Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Furo-Cho, Chikusa-ku, Nagoya 486-01, Japan

MOVPE gewachsene Al_xGa_1−xN auf GaN Schichten wurden mit Photolumineszenz im Temperaturbereich zwischen 2K und 300K untersucht. Der Kompositionsbereich x betrug 0 ≤ x ≤ 0.22. Als Anregungslichtquelle diente die 248 nm Linie eines Excimer Lasers. Bei tiefen Temperaturen dominiert Donator gebundene Exzitonenrekombination, während für T>100K bis hinauf zu Raumtemperatur freie Exzitonen beobachtet werden. Der energetische Unterschied zwischen freien und gebundenen Exzitonen in Abhängigkeit von der Komposition mißt die Lokalisierungsenergie der gebundenen Exzitonen. Über Haynes Rule läßt sich somit auch eine Aussage über die energetische Lage des flachen Donators in AlGaN in Abhängigkeit vom Al-Gehalt treffen. Die exzitonische Bandlücke hängt linear vom Al-Gehalt ab, ein “band gap bowing“ (b<0.2 eV) kann in diesen verspannten Schichten nicht beobachtet werden.