Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN II
HL 23.2: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:15–16:30, H15
Optisches Quenchen der persistenten Photoleitung in n-typ GaN-Filmen — •Oliver Seifert, Olaf Kirfel, J"urgen Parisi, and Michèle T. Hirsch — Universit"at Oldenburg, FB Physik, Energie- und Halbleiterforschung, D-26111 Oldenburg
src: 60 OLIVER.TEX Zur Bestimmung der Defekteigenschaften von undotiertem, n-leitenden GaN untersuchen wir die in diesen d"unnen Filmen auftretende persistente Photoleitung (PPC). Insbesondere betrachten wir den Proze"s des optischen Quenchens, der erstmalig f"ur PPC in GaN beobachtet wurde. Die Anregung der PPC erfolgt mit Licht einer Photonenenergie kleiner der GaN-Bandl"uckenenergie (Eg≈3.4eV). Die Leitf"ahigkeit erh"oht sich dabei im Bereich von Minuten bis Stunden. Der erreichbare S"attigungswert l"a"st sich durch Einstrahlen von zus"atzlichem niederenergetischem Licht (λ≈600 nm) und durch Variation des Photonenflusses (109 − 1012 s−1) verringern (optisches Quenchen). Basierend auf einem Ratengleichungsansatz f"ur wellenl"angen- und lichintensit"atsabh"angige Generation und Rekombination simulieren wir dieses Verhalten und berechnen die Einfangquerschnitte f"ur Elektronen. Ebenso erh"alt man "uber die Dynamik dieser Prozesse Informationen "uber die beteiligten Defekte. So zeigt der Abfall der Leitf"ahigkeit bei Abdunkeln der Probe einerseits thermisch aktiviertes Verhalten mit sehr langen Zeitkonstanten, andererseits wird auch hier die Zerfallsrate stark durch zus"atzliches langwelliges Licht vergr"o"sert. Die Messungen werden im Rahmen eines DX-Zentren-Modells diskutiert. src: 81 OLIVER.TEX