Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.3: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 16:30–16:45, H15

Surfactants und Diffusion auf GaN-Oberflächen — •T. Zywietz, J. Neugebauer und M. Scheffler — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, = Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Mit Hilfe von Dichte-Funktional-Rechnungen wurden = Oberflächenenergien, atomare Strukturen, elektronische = Zustände und Adatom Diffusion auf den technologisch interessanten = (0001), (0001) und (001) GaN-Oberflächen = untersucht. Im Vergleich zu traditionellen III-V Halbleitern zeigt GaN = völlig neuartige Eigenschaften: Die Oberflächen sind ohne = Ausnahme Ga-stabilisiert. Dies ist auf thermodynamische (Stabilität = der N₂-Bindung) und elektronische Effekte (Stabilisierung der = Ga-terminierten Oberflächen durch metallische Bindung), = zurückzuführen. Wir haben weiterhin den Einfluß potentieller = Surfactants (z.B. Arsen) auf die Energien und Rekonstruktionen = der Oberflächen untersucht. Arsen reduziert signifikant die = Oberflächenenergien von kubischem GaN und unterdrückt die = Bildung von hexagonalen Einschlüssen bzw. Facettierung. Unsere = Ergebnisse zeigen weiterhin eine deutlich höhere Mobilität von = Ga gegenüber N und einen starken Einfluß der As-bedeckten = Oberflächen auf die Diffusionsbarrieren. Daraus können innerhalb = eines einfachen kinetischen Modells interessante Konsequenzen für = das Wachstum von GaN abgeleitet werden.