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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.5: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:00–17:15, H15

Bestimmung der chemischen Zusammensetzung und Verspannung von InGaN Filmen mittels HRXRD — •L. G"orgens¹, O. Ambacher¹, M. Stutzmann¹, F. Scholz², and J. Off² — ¹Walter Schottky Institut, TU M"unchen, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²4. Physikalisches Institut, Kristallabor, Universit"at Stuttgart, am Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart

InGaN ist wegen seiner elektronischen Eigenschaften und direkten Bandl"ucke mit 1.95eV bis 3.45eV sehr gut als aktive Schicht f"ur gr"une und blaue LED und LD geeignet. Zur Bestimmung der optischen und elektronischen Eigenschaften wurde eine Reihe InGaN/GaN Heterostrukturen mit hochaufl"osender R"ontgendiffraktometrie (HRXRD) untersucht und die Ergebnisse mit PDS und PL Daten verglichen. Die InGaN Schichten hatten eine Dicke von 70nm bis 100nm und einen In-Gehalt von 5% bis 25%. Es wurden sowohl MOCVD gewachsene als auch MBE Proben untersucht. Um die In-Konzentration bestimmen zu k"onnen, wurden sowohl symmetrische (00.2) als auch asymmetrische (20.5) Beugungsreflexe mit HRXRD vermessen. InGaN zeigt bei einer Gitterfehlanpassung von 2% gegen GaN sehr stark verspanntes Wachstum, der auftretende Stress ist biaxial kompressiv und erreicht Dr"ucke von 6GPa. Diese Verspannung verursacht aufgrund der Piezoelektrizit"at der Gruppe III-Nitride ein elektrisches Feld in der Wachstumsrichtung. Die Konsequenzen der strukturellen Untersuchung auf die optischen und elektrischen Eigenschaften von InGaN werden dargestellt.