Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:15–17:30, H15

Realisierung von UV-Reflektoren und Filtern aus AlGaN Heterostrukturen — •H.P. Felsl¹, R. Dimitrov¹, O. Ambacher¹, M. Stutzmann¹ und M. Albrecht² — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Universität Erlangen-Nürnberg, Werkstoffwissenschaften, Cauerstr.6, 91058 Erlangen

Aus einer Serie von Al_xGa_1−xN-Schichten (0<x<1) mit Wurzitstruktur, die mittels einer PIMBE (plasma induced molecular beam epitaxy) auf c-plane Saphir gewachsen wurden, sind mittels Transmissionsmessungen der Brechungsindex und mit PDS (photothermal deflection spectroscopy) der Absorptionskoeffizient in Abhänigkeit vom Al-Gehalt bestimmt worden. Mit diesen Resultaten konnten Bragg Reflektoren, die aus 20 bzw. 30 Perioden Al_0.2Ga_0.8N/Al_0.6 Ga_0.4N bestanden, im Wellenlängenbereich von 330 bis 370nm arbeiten, und Reflektivitäten von 0.8 aufweisen realisiert werden. Hierzu war es notwendig die Selbstabsorption der Bragg-Reflektoren für eine bestimmte Wellenlänge und die auftretenden Verspannungen an den Al_x1Ga_1−x1N/Al_x2Ga_1−x2Grenzflächen zu berücksichtigen. TEM-Messungen (transmission electron microscopy) an diesen Heterostrukturen zeigen die Qualität der Grenzflächen und die Auswirkungen der auftretenden Verspannungen auf die optischen Eigenschaften der Reflektoren.