Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN II
HL 23.7: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 17:30–17:45, H15
Adsorption von Cs auf GaN(0001): Elektronische Eigenschaften — •M. Eyckeler1, T. U. Kampen2, W. Mönch1, R. Dimitrov3, O. Ambacher3 und M. Stutzmann3 — 1Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg — 2Institut für Physik,TU Chemnitz — 3Walter Schottky Institut, TU München
Die Adsorption von Cs auf GaN(0001)-Oberflächen bei tiefen Temperaturen wurde mit XPS, AES, LEED, UPS und CPD untersucht. Eine Reinigung der Proben erfolgte durch eine naßchemischen Präparation mit Flußsäure und daran anschließendem Heizen im UHV in einem Ga-Atomstrahl. Den so gereinigten GaN(0001)-Oberflächen wurde Cs aus Dispensern angeboten. Bei tiefen Temperaturen wächst Cs lagenweise auf, was durch AES- und XPS-Messungen bestätigt wird. Die Ergebnisse aus CPD- und UPS-Messungen an den gereinigten Flächen zeigen die Existenz von Verarmungsrandschichten auf sowohl n- als auch p-dotierten Proben. Durch Cs-Angebote im Submonolagenbereich werden die Oberflächendonatoren und - akzeptoren der reinen Fläche durch Cs-induzierte Donatoren ersetzt. Zusätzlich besitzen die p-dotierten Oberflächen eine negative Elektronenaffinität. Hierzu wurden Photoemissions- und Feldemissionsmessungen für Photonenenergien im Bereich zwischen 1 eV und 6 eV durchgeführt.