Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN II
HL 23.8: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 17:45–18:00, H15
Einfluß unterschiedlicher Buffer bei der Epitaxie von GaInN — •A. Kniest1, J. Off1, F. Scholz1, and O. Ambacher2 — 14. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart — 2WSI, TU München, D-85748 München
Das Materialsystem GaInN ist für optoelektronische Anwendungen interessant, da seine Bandlücke je nach Indiumgehalt zwischen 3,4eV (GaN) und 1,9eV (InN) variiert und damit den sichtbaren Spektralbereich, insbesondere auch grün und blau, zugänglich macht. Untersucht wurden die Effizienz des In-Einbaus bei der Epitaxie sowie dessen Auswirkungen auf spektroskopische Eigenschaften. Die hier verwendeten Proben wurden mittels Niederdruck-MOVPE hergestellt, wobei die GaInN-Schichten bei jeweils identisch en Epitaxiebedingungen auf unterschiedlichen Unterlagen aufgebracht wurden. Mittels Röntgendiffraktometrie wurden die Gitterkonstanten gemessen, um unter Berücksichtigung der Verspannung die Indiumgehalte zu ermitteln. Außerdem wurden Photoluminesz enz- sowie Absorptionsmessungen vorgenommen und deren Ergebnisse mit denen der Röntgendiffraktometrie verglichen.