Regensburg 1998 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN II
HL 23.9: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 18:00–18:15, H15
Schichteigenschaften von Ca- und C-dotiertem GaN — •U. Birkle, M. Fehrer, C. Fechtmann, S. Einfeldt, V. Kirchner und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen
Eine Schwierigkeit bei der Realisierung von GaN-Bauelementen liegt in der p-Dotierbarkeit des Materials. Donatorkonzentrationen in der Grössenordnung von 1017 cm−3 in nominell undotierten Schichten müssen zunächst kompensiert werden. Als Akzeptor wird üblicherweise Mg eingesetzt, welches aber eine relativ große Ionisierungsenergie EA von ca. 200 meV besitzt, was eine nur geringe elektrische Aktivierung bei Raumtemperatur zur Folge hat. Der alternative Einbau von Ca in GaN könnte aufgrund der 4s2-Elektronenkonfiguration eine geringere EA aufweisen. Ca und C besitzen darüber hinaus einen hohen Haftkoeffizienten. Wir haben während des MBE-Wachstums von GaN elementares Ca und C verdampft. Die so dotierten Schichten wurden durch temperaturabhängige Hall-Messungen elektrisch charakterisiert. Beide Dotierelemente ergeben bei zunehmendem Einbau eine Kompensation der n-Hintergrunddotierung. Untersuchungen der symmetrischen und asymmetrischen Röntgenreflexe geben Aufschluß über die Einbaumechanismen und die strukturelle Qualität. Erste Photolumineszenz-Spektren zeigen DAP-Rekombinationen mit ihren Phononenrepliken bei C-dotiertem GaN. Die Schichteigenschaften von GaN:Ca und GaN:C werden in Abhängigkeit von den Wachstumsbedingungen diskutiert und direkt mit p-GaN:Mg verglichen.