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16:00 |
HL 23.1 |
Exzitonische Rekombination in verspannten AlxGa1−xN Schichten — •G. Steude, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, A. Amano und I. Akasaki
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16:15 |
HL 23.2 |
Optisches Quenchen der persistenten Photoleitung in n-typ GaN-Filmen — •Oliver Seifert, Olaf Kirfel, J"urgen Parisi, and Michèle T. Hirsch
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16:30 |
HL 23.3 |
Surfactants und Diffusion auf GaN-Oberflächen — •T. Zywietz, J. Neugebauer und M. Scheffler
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16:45 |
HL 23.4 |
Alternative Akzeptoren in GaN — •J. Neugebauer und Chris G. Van de Walle
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17:00 |
HL 23.5 |
Bestimmung der chemischen Zusammensetzung und Verspannung von InGaN Filmen mittels HRXRD — •L. G"orgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz, and J. Off
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17:15 |
HL 23.6 |
Realisierung von UV-Reflektoren und Filtern aus AlGaN Heterostrukturen — •H.P. Felsl, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann und M. Albrecht
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17:30 |
HL 23.7 |
Adsorption von Cs auf GaN(0001): Elektronische Eigenschaften — •M. Eyckeler, T. U. Kampen, W. Mönch, R. Dimitrov, O. Ambacher und M. Stutzmann
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17:45 |
HL 23.8 |
Einfluß unterschiedlicher Buffer bei der Epitaxie von GaInN — •A. Kniest, J. Off, F. Scholz, and O. Ambacher
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18:00 |
HL 23.9 |
Schichteigenschaften von Ca- und C-dotiertem GaN — •U. Birkle, M. Fehrer, C. Fechtmann, S. Einfeldt, V. Kirchner und D. Hommel
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18:15 |
HL 23.10 |
Untersuchungen zum Einfluß lokalisierter Zustände auf die optische Verstärkung in InGaN/GaN-Strukturen — •S. Heppel, A. Sohmer, J. Off, F. Scholz und A. Hangleiter
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18:30 |
HL 23.11 |
Piezoelektrische Felder und Rekombination von Ladungsträgern in GaN/AlGaN-Quantenfilmen — •H. Kollmer, Jin Seo Im, J. Off, B. Kuhn, F. Scholz und A. Hangleiter
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18:45 |
HL 23.12 |
Beobachtung des Ausheilens von GaN nach der Implantation des Übergangsmetalls 181Hf mit der PAC-Methode — •J. Bartels, P. Friedsam, D. Wruck, K. Freitag und R. Vianden
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19:00 |
HL 23.13 |
Epitaxie von GaN auf Si-Substraten — •A. Strittmatter, A. Krost, D. Bimberg, J. Bläsing, Th. Hempel und J. Christen
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19:15 |
HL 23.14 |
Gitterdynamische und dielektrische Eigenschaften von GaN und AlN: Besonderheiten der Druckabhängigkeit — •J.-M. Wagner und F. Bechstedt
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