Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.10: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Resonantes Tunneln durch InAs-Dots — •I. Hapke-Wurst¹, P. König¹, U. Zeitler¹, R.J. Haug¹, K. Pierz² und F.-J. Ahlers² — ¹Inst. f. Festkörperphysik, Universität Hannover — ²PTB, Braunschweig

Beim Wachstum von einzelnen Monolagen InAs auf AlAs entstehen aufgrund der starken Gitterfehlanpassung selbstorganisierte InAs-Quantenpunkte. Solche Strukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie in die AlAs-Barriere einer GaAs/AlAs/GaAs-Heterostruktur eingewachsen. Es wurden quadratische Tunneldioden mit 40 µm Kantenlänge strukturiert. Vertikale Transportmessungen an diesen Dioden zeigten Stufen in der Strom-Spannungskennlinie, die auf resonantes Tunneln durch einzelne Quantenpunkte zurückgeführt werden. Unter Einfluß eines Magnetfeldes parallel zur Stromrichtung lassen sich die Energiezustände eines einzelnen Dots spektroskopisch untersuchen. Bei Magnetfeldern bis zu 12 T kann insbesondere die Zeeman-Aufspaltung gemessen werden.