Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.100: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

SiC-Dünnschichtherstellung mittels Laser-Ablation und Laser-CVD — •Jens Meinschien, Marco Diegel, Fritz Falk und Herbert Stafast — Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. Jena

Silicumcarbid wurde mit ca. 10⁵ Pulsen eines KrF-Lasers im Hochvakuum bzw. bei 10⁻³ mbar Ar ablatiert und bei Temperaturen von 900−1250^oC auf verschiedenen Substraten abgeschieden. Die Kristallstruktur der Schichten auf Quarz und YSZ(100) ist stark gestört. Eine Reaktion des Siliciums mit den Oxiden (Si-O-Bildung)ist wahrscheinlich die Ursache dafür. Auf Si(100) und Si(111) konnte epitaktisches SiC (vorrangig kubisches) abgeschieden werden. Eine Oberflächenaktivierung der wachsenden Schichten mit einem Excimer-Laser verbessert deren Kristallinität und entspricht einer Temperaturerhöhung von ca. 100-150 K. // ArF-Laser-CVD wurde zur Abscheidung von amorphen und/oder nano- kristallinen SiC-Schichten bei Temperaturen von 400−750^oC eingesetzt. Stabile SiC-Schichten konnten z.B. aus Si₂H₆/C₂H₂ durch direkte und indirekte Laser-CVD abgeschieden werden. Die Laserbestrahlung der Substratoberfläche bei der direkten Laser-CVD verbessert die Stöchiometrie und die Si-C-Bindungsstruktur im Vergleich zur indirekten Laser-CVD. // Mit beiden Verfahren wurden sehr hohe Schichtabscheideraten von 5-50 nm/min bzw. 200-1000 nm/min erzielt.