Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.101: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Photolumineszenz von Mg–dotierten kubischen GaN–Schichten — •Th. Simonsmeier, D.J. As, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka — Universität Paderborn, FB–6 Physik, Warburger Strasse 100, D-33095 Paderborn

Der Einbau von Mg in kubischem GaN (c–GaN)wird mittels temperatur– und intensitätsabhängigen Photolumineszenz (PL)–Messungen untersucht. Mg–dotierte c–GaN–Schichten werden mit RF–plasma unterstützter MBE auf GaAs–Substraten (001) bei einer Substrattemperatur von 720 C hergestellt. Das Mg wird aus einer Effusionszelle verdampft und der Mg–Flus bei verschiedenen Proben zwischen 10⁻¹⁰ und 10⁻⁸ mbar variiert. Tieftemperaturmessungen zeigen neben den für undotierten c–GaN typischen Übergängen (Exziton bei 3.27 eV und (D⁰,A⁰) –Übergang bei 3.15 eV) weitere Übergänge bei niedrigeren Energien, die mit zunehmendem Mg–Flus immer stärker werden. Dies sind Übergänge bei 3.05 eV, 2.95 eV, 2.65 eV und 2.3 eV. Bei kleinem Mg–Flus dominiert der 3.05 eV Übergang, bei grosem Mg–Flus steigt die Intensität der niederenergetischen Banden. Dies deutet auf einen Mg–Einbau auf unterschiedlichen Gitterplätzen oder Bildung von Komplexen bei hohen Mg–Flüssen hin.