Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.102: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Diffusion in ZnSe-basierten Heterostrukturen und lateral indexgeführte Laser — •M. Straßburg¹, M. Kuttler¹, O. Stier¹, V. Türck¹, U.W. Pohl¹, D. Bimberg¹, M. Behringer² und D. Hommel² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28334 Bremen

Die Diffusion in II-VI-Halbleitern ist sowohl von grundlagen- als auch anwendungsorientiertem Interesse. Mit Kenntnis der Diffusionsmechanismen lassen sich thermisch stabile Strukturen verwirklichen, und mittels diffusionsinduzierter Durchmischung (DID) lateral indexgeführte Laser realisieren. Es konnte gezeigt werden, daß die Diffusion der Gruppe-II- und Gruppe-VI-Elemente über Eigendefekte um mehrere Größenordnungen erhöht wird. Die mobileren Gruppe-II- Elemente Cd und Mg diffundieren leerstellenassistiert über das Gitter. Des weiteren ist die Diffusion der Metallkomponenten dotierungsabhängig. Basierend auf den ermittelten Diffusionsmechanismen wurde ein selektiver DID-Prozeß entwickelt. Angewendet auf Wellenleiter und Laser wurde eine laterale Indexführung mit einem Brechungsindexsprung in der Größenordnung 10⁻³ realisiert. Diese Laser zeichnen sich durch eine deutlich reduzierte Schwellstromdichte (z.Z. etwa um 1/2) aus.