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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.103: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

EPR-Untersuchungen an Cd-korrelierten Störstellen in Si — •Alexander Näser¹, Wolfgang Gehlhoff¹, Manfred Lang² und Gerd Pensl² — ¹TU Berlin, Inst. F. Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²U Erlangen-Nürnberg, Inst. f. Angewandte Physik, Staudtstr. 1, D-8520 Erlangen

Die Elemente der II-ten Hauptgruppe Cd und Zn in Si wurden in den letzten Jahren intensiv untersucht. Als isolierte Störstelle auf Gitterplatz eingebaut bilden beide Elemente Doppelakzeptoren. Erstmalig konnten mittels EPR Cd-korrelierte Störstellen nach Diffusionsdotierung sowie Implantation von p-dotiertem Cz-Si nachgewiesen werden. Das isolierte Cd-Zentrum zeigt in Fein- und Hyperfeinstruktur die charakteristische Winkelabhängigkeit eines Gamma8-Terms mit kubischer Symmetrie und kann mit den g-Werten g=1,9462 und f =0,0024, sowie den Hyperfeinkonstanten A=21,6x10-4cm-1 und F=2,42x10-4cm-1 für die Isotope 111Cd und 113Cd mit I=1/2 beschrieben werden. Durch Vergleich mit DLTS- Messungen an denselben Proben konnte dieses Zentrum der einfach negativ geladenen Cd-Störstelle auf Gitterplatz zugeordnet werden. Ein zusätzliches orthorhombisches Spektrum konnte nach Elektronenbestrahlung und zwei weitere Spektren mit trigonaler bzw. orthorhombischer Symmetrie bei Eindiffusion von Fe beobachtet werden.