Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.110: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung von MnAs-Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie und ihre strukturelle Charakterisierung — •Frank Schippan; J.Takemura, P.Schützendübe, B.Jenichen, L.Däweritz, K.H.Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 BERLIN

Der Einbau von Mn auf der GaAs(001)-Oberfläche in As-Atmosphäre bei der Molekularstrahlexpitaxie ist sowohl hinsichtlich einer p- Dotierung als auch für das Wachstum von MnAs-Schichten von Interesse. Auf der Mn-dotierten Oberfläche bilden sich in Abhängigkeit von der Mn-Bedeckung eine Reihe unterschiedlicher Rekonstruktionen aus. Ihre Geometrie und die atomaren Konfigurationen werden mittels Reflektionselektronenbeugung (RHEED) und Reflektionsdifferenzspektroskopie (RDS) detalliert untersucht. Derartige definierte Oberflächen dienen als "Templates" für das MnAs-Wachstum. Die MnAs-Schichtbildung wird in-situ mit RDS und RHEED verfolgt. Weiterhin werden die Schichten mittels Röntgen- beugung und Sekundärionenmassenspektrometrie charakterisiert. Der Einflußder Wachstumstemperatur auf die strukturelle Aus- bildung der MnAs-Schichten und iher Grenzflächen wird diskutiert.