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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.113: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Nachweis flacher pn-Übergänge im Si mit dem STM — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, Roland Nuffer und Silvia Hinrich — Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), Walter-Korsing-Straße 2, D-15230 Frankfurt (Oder)

Mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) und -spektroskopie (STS) ist es gelungen, an wasserstoffpassivierten (011)-Spaltflächen sowohl bordotierte Deltaschichten als auch Si-pn-Übergänge nachzuweisen. Strom-Spannungs-Spektren, aufgenommen in p- und n-leitenden Bereichen sowie in der Verarmungszone, geben Hinweise auf geeignete Tunnelspannungen für entsprechende Strombilder. Die Ergebnisse belegen, daß diese Methode prinzipiell geeignet ist, zweidimensionale elektronische Profile mit extrem hoher räumlicher Auflösung abzubilden. Aber bereits die Lokalisierung solcher Profile ist für den Kunden ausreichend.