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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.115: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Kontaktlose Charakterisierung von a-Si/c-Si Heteroübergängen — •J. Löffler, S. von Aichberger, H. Feist und M. Kunst — Hahn-Meitner-Institut, Abt. CS, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Nach der Vorbehandlung von kristallinen Silizium-Wafern wurden in situ TRMC-Messungen während mehrerer sukzessiver Aufheiz- und Abkühlprozesse durchgeführt. Ein HF-Dip zur Beseitigung des nativen Oxids führt zu kleineren Ladungsträger-Lebensdauern als bei unbehandelten Wafern. Die Temperaturabhängigkeit der Lebensdauern wird durch den Übergang des Halbleiters vom extrinsischen in den intrinsischen Bereich mit höherer Temperatur bestimmt.Dies führt zu einer Zunahme der Lebensdauer mit steigender Temperatur. Dabei nimmt die Amplitude des TRMC-Signals ab, da die Beweglichkeit der Ladungsträger mit steigender Temperatur kleiner wird. Während der Abscheidung von dotiertem amorphen Silizium in einer PECVD-Kammer ist eine Zunahme der Lebensdauer aufgrund der Oberflächenpassivierung zu beobachten. Die Abnahme der TRMC-Amplituden wird durch die Absorption des Anregungslichtes im amorphen Silizium begründet. Ein Vergleich der in situ und ex situ gemessenen TRMC-Daten mit der Effizienz des Übergangs für optoelektronische Bauelemente wird angestellt.