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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.11: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Arsen-Diffusion in intrinsisches und zinkdotiertes Galliumarsenid — •G. Bösker¹, N.A. Stolwijk¹, U. Södervall², A. Burchard³ und H. Mehrer¹ — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster — ²Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-41296 Göteborg — ³ISOLDE Collaboration, CERN, CH-1211 Geneva 23

Im Vergleich zu den umfangreichen Erkenntnissen bezüglich der Diffusion auf dem Gallium-Untergitter in GaAs gibt es kaum Diffusionsdaten für das Arsen-Untergitter. Die zwei in der Literatur vorhandenen Datensätze für intrinsisches GaAs stützen sich nur auf wenige Messpunkte und sind nur zum Teil miteinander verträglich.
Wir haben Diffusionsuntersuchungen in GaAs verschiedener Dotierungen mit den beiden Radioisotopen ⁷⁶As und ⁷³As durchgeführt, wobei letzteres aufgrund seiner längeren Halbwertzeit für die Messungen bei tieferen Temperaturen Verwendung fand. Die erzeugten Konzentrations-Weg-Profile wurden mittels Schichtenteilung durch Ionenstrahlzerstäubung und Messungen der Radioaktivität der abgetragenen Schichten bestimmt.
Numerische Anpassungen der gemessenen Profile, in denen zum einen die Ausdiffusion der Tracer-Atome und der Dotierstoff-Atome, und zum anderen das Gesamtabdampfen der Kristalloberfläche berücksichtigt wurden, lieferten Diffusionkoeffizienten von Arsen für intrinsisches und erstmals auch für hoch p-dotiertes extrinsisches GaAs.